碳化硅半导体是新一代宽禁带半导体,它具有热导率高、GaN晶格失配小等优势,非常适合用作新一代发光二极管衬底材料、大功率电力电子材料。
采用碳化硅做衬底的LED器件亮度更高、能耗更低、寿命更长、单位芯片面积更小,且在大功率LED方面具有非常大的优势。
今天美国力特公司(Littelfuse)公司,将从功耗、效能等数据点出发,详细介绍美国力特公司小功率半导体碳化硅技术。
碳化硅半导体是新一代宽禁带半导体,它具有热导率高、GaN晶格失配小等优势,非常适合用作新一代发光二极管衬底材料、大功率电力电子材料。
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今天美国力特公司(Littelfuse)公司,将从功耗、效能等数据点出发,详细介绍美国力特公司小功率半导体碳化硅技术。
器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
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SUCOFORM_141_FEP | 1 | HUBER+SUHNER | Wire And Cable, 1 Conductor(s), 1900V, Communication Cable, |
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$13.73 | 查看 | |
1N5819HW-7-F | 1 | Diodes Incorporated | Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-2 |
ECAD模型 下载ECAD模型 |
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$0.34 | 查看 | |
BAV99S,115 | 1 | NXP Semiconductors | BAV99 series - High-speed switching diodes TSSOP 6-Pin |
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$0.25 | 查看 |