关于举办“高级超大规模集成电路存储器设计和集成培训班”的通知

2016/05/31 15:30 - 2016/06/03 17:30

湖北省武汉市具体地点详见报到通知

不限参加人数

关于举办“高级超大规模集成电路存储器设计和集成培训班”的通知

2016/05/31 15:30 - 2016/06/03 17:30

湖北省武汉市具体地点详见报到通知

不限参加人数

活动介绍

各有关单位:

为贯彻落实《国家集成电路产业发展推进纲要》,推进工业和信息化部“软件和集成电路人才培养计划”的实施,培养一批掌握核心关键技术,处于世界前沿水平的中青年专家和技术骨干,推动我国集成电路领域共性、关键性核心技术的整体突破,工业和信息化部人才交流中心和比利时微电子研究中心IMEC定于2016年6月1-3日在武汉共同举办“高级超大规模集成电路存储器设计和集成培训班”,邀请美国犹他大学电气和计算机工程系教授Pierre-Emmanuel Gaillardon授课。

本课程将通过器件技术、电路设计和系统集成的深入学习,讲述静态、动态和非易失性存储器。本课程将首先讲述体效应技术的内存设计的知识,然后讲述先进的半导体工艺(FinFET、FDSOI和现代Flash工艺),并呈现现代SoC设计中减少存储器能耗影响的解决方案,最后将讨论到非易失性存储器领域的最新研究进展,以及这些进展在未来几年将给半导体行业带来的机会。

现将有关事宜通知如下:

一、主办单位

工业和信息化部人才交流中心

比利时微电子研究中心(IMEC)

二、协办单位

华中科技大学武汉国际微电子学院

武汉集成电路技术及产业服务中心

三、参加对象

本课程面向相关企业、研究机构、高等院校以及政府机构的高级管理人员、技术经理、工程师、研究员和教师等。课程采用全英文授课,不配备翻译,要求学员具备英语听课学习水平。

四、培训安排

培训时间:2016年6月1-3日(3天)

培训地点:武汉(具体地点详见报到通知)

日程安排: 5月31日下午15:00-17:00报到

6月1日上午8:30举行开班仪式

6月3日下午17:00举行结业仪式

其余为上课时间:上午9:00-12:00

下午14:00-17:30

培训班结束后,将颁发工业和信息化部人才交流中心和比利时微电子研究中心(IMEC)共同证书,参加培训者可推荐参加国家“软件和集成电路人才培养计划”评选。

五、培训费用

本次课程培训费3600元/人(含授课费、场地费、资料费、培训期间午餐),学员交通、食宿等费用自理。请于2016年5月30日前将培训费汇至以下账户,并在汇款备注中注明款项信息(培训班名称+单位+人数)。

户 名:工业和信息化部人才交流中心

开户行:中国工商银行北京公主坟支行

帐 号:0200004609004626666

六、报名方式

请各单位收到通知后,积极选派人员参加。报名截止日期为2016年5月30日,采用以下方式报名:

邮件报名

填写报名回执表并发送电子版至国家IC人才培养平台邮箱(icplatform@miitec.cn),回执表文件名和邮件题目格式为:报名+培训班名称+单位名称+人数。

网上报名

访问“国家IC人才培养平台”官方网站(www.icplatform.cn),点击“在线报名”栏目,填写相关信息并提交。

微信报名

关注微信公众号“国家IC人才培养平台”(微信号:ICPlatform),并点击“在线报名”填写相关信息。

传真报名

填写报名回执表,打印电子版并传真至010-68207863。


工业和信息化部人才交流中心:

联系人:张萍丽、王喆、吴彦宁

电 话:010-68207879、68208717、68208716

传 真:010-68207863

E-mail:icplatform@miitec.cn


附件:

1.报名回执表

2.课程大纲

3.专家简介




工业和信息化部人才交流中心

2016年4月28日



附件1:


请发送Email至icplatform@miitec.cn索取此表电子版



附件2:

课程目录

Module 1 (2 h):Reminder on full-custom VLSI Design

- Basic MOStransistor theory

- CircuitDesign: combinational design, wires, scaling

- LogicalEffort

模块1(2小时):全定制VLSI设计简介

-基本MOS晶体管理论

-电路设计:组合逻辑设计,连线,缩放

-逻辑效力


Module 2 (2 h):SRAM Memory Design

- Generalitieson Static Random Access Memories (SRAMs)

- 6T celltopology: read, write, sizing, layout

- Peripheralcircuitry: decoder, column circuits

- Alternativememory cells: dual port, 8T, 10T

模块2(2小时):SRAM存储器设计

- 静态随机存取存储器(SRAMs)概论

- 6T单元拓扑:读,写,大小,版图

- 外围电路:解码器,列电路

- 替代存储单元:双端口、8T、10T


Module 3 (2 h):SRAM Design with Advanced MOS Technologies

- FinFETtechnology fundamentals

- Specificitiesof SRAM design with FinFETs

- FDSOItechnology fundamentals

- Back-biasingtechniques and opportunities for low-power SRAM design

- Applicationto ultra-wide-voltage-range SoC design

模块3(2小时):具有高级MOS技术的SRAM设计

- FinFET技术基础

- FinFET的SRAM设计的特殊性

- FDSOI技术基础

- 低功耗SRAM设计的反馈偏压技术和机遇

- 在超宽电压范围SoC设计中的应用


Module 4 (2 h):Dynamic Memory Arrays

- Generalitieson Dynamic Random Access Memories (DRAMs)

- Peripheralcircuitry: decoder, refresh mechanisms

- Memoryhierarchy: cache design and associated mechanisms

- Advanced DRAMdesign: gain-cell eDRAMs, voltage scaling

模块4(2小时):动态内存阵列

- 动态随机存取存储器(DRAMs)概论

- 外围电路:解码器,刷新机制

- 存储器层次:缓存设计和相关机制

- 先进的DRAM设计:增益单元eDRAMs,电压缩放


Module 5 (2 h):Other Memory Arrays

- Read OnlyMemories (ROMs)

-Content-Addressable Memories (CAMs)

- Standard-Cellbased Memories (SCMs)

-Ultra-low-power SCMs: principles, aggressive voltage scaling

模块5(2小时):其他存储器阵列

- 只读存储器(ROMs)

- 内容寻址存储器(CAMs)

- 基于标准单元的存储器(SCMs)

- 超低功耗的SCMs:原理、激进的电压缩放


Module 6 (2 h):Non-volatile Memories

- Fundamentalsof charge trapping: SONOS, floating gate Flash, nanocrystal Floating Gate

- Flash memory architectures: NAND/NORmemory array organization, read/write circuitries

- EmbeddedNVMs: Review of current industrial process flows and applications

模块6(2小时):非易失性存储器

- 电荷俘获基础:SONOS,浮栅闪存,纳米晶浮栅

- 闪存架构:NAND / NOR存储器阵列组织,读/写电路系统

- 嵌入式网络视频管理系统:当前产业流程和应用概述


Module 7 (3 h):Emerging Non-Volatile Memory Technologies

- MagneticMemories: TAS-MRAM, STT-MRAM, SOT-MRAM

- OxideMemories: bipolar mechanism, unipolar mechanism, bi-layers, role of interfaces

- Conductivebridge memoires

- Phase-changememories

- Mott memories

- Embeddedemerging NVMs developments: Review of the latest industrial advances.

模块7(3小时):新兴的非挥发性内存技术

- 磁性存储器:TAS-MRAM,STT-MRAM,SOT-MRAM

- 氧化物存储器:双极机制,单极机制,双层,接口的作用

- 导电桥存储器

- 相变存储器

- Mott存储器

- 嵌入式新兴的网络视频管理系统的发展:产业最新进展概论。


Module 8 (3 h):Design with Non-Volatile Memory Technologies

- Dense memorycrossbar design: topologies, sneak path mitigation, selector, peripheralcircuitries

- Non-volatileFlip-Flop design: CMOS-NVM co-integration, FF design, Low-power NVFF design

-Logic-in-memory architectures: NVM-based routing architectures, Booleanoperation with NVMs

- Neuromorphicapplications: synapse design, learning techniques

模块8(3小时):具有非易失性存储器技术的设计

- 密集内存交叉设计:拓扑结构,潜路径抑制,选择器,外围电路

- 非易失性触发器设计:CMOS-NVM协整,FF设计,低功耗NVFF设计

- 逻辑内存架构:基于NVM的路由架构,布尔运算与网络视频管理系统

- 神经形态应用:synapse design,学习技巧



附件3:

专家简介


Pierre-EmmanuelGaillardon

美国犹他大学

电气和计算机工程(ECE)系教授

Pierre-Emmanuel Gaillardon是美国盐湖城犹他大学的电气和计算机工程(ECE)系教授,并担任纳米集成系统实验室(LNIS)主任。他拥有CPE里昂的工程师文凭、法国国立应用科学学院的电气工程硕士学位,并拥有法国原子能委员会电子与信息技术实验室(CEA-LETI)和法国里昂大学的电气工程博士学位。

加入犹他大学之前,他工作于瑞士洛桑联邦理工学院(EPFL),任职于集成系统实验室,师从Prof. Giovanni DeMicheli(瑞士洛桑联邦理工学院教授、ACM Fellow、IEEE Fellow、欧洲科学院院士)。同时,他还在斯坦福大学担任客座研究员。此前,他曾任职于法国CEA-LETI研究中心。Gaillardon教授是C-Innov 2011年最佳论文奖和Nanoarch 2012年最佳论文奖的获得者。

Gaillardon教授是IEEE 纳米技术会刊的副主编。他加入多个大会的技术委员会,包括DATE'15-16,VLSI-SoC'15, CMOS-ETR'13-15, Nanoarch'12-15, ISVLSI'14-15。他还是数个期刊和基金会的评审员。

Gaillardon教授目前的研究主要集中在利用新兴器件技术和新颖的EDA技术进行可重构逻辑架构和数字电路开发。


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