名家讲堂“CMOS纳米技术的可靠性、低频噪声和早期评估”

2016/10/24 08:30 - 2016/10/26 16:30

北京市北京市朝阳区双营路甲6号院

不限参加人数

名家讲堂“CMOS纳米技术的可靠性、低频噪声和早期评估”

2016/10/24 08:30 - 2016/10/26 16:30

北京市北京市朝阳区双营路甲6号院

不限参加人数

活动介绍

工业和信息化部人才交流中心
比利时微电子研究中心(IMEC)

关于举办第三十期国际名家讲堂“CMOS纳米技术的可靠性、低频噪声和早期评估”的通知


各有关单位:


为了提高我国集成电路行业专业人才整体技术水平,促进行业专业技术人才知识更新,工业和信息化部人才交流中心启动实施了“芯动力”人才发展计划。作为2016年计划的一项重要活动,中心和比利时微电子研究中心(IMEC)将于2016年10月24至26日在北京举办第三十期国际名家讲堂“CMOS纳米技术的可靠性、低频噪声和早期评估”。邀请意大利卡拉布里亚大学教授Felice Crupi授课。
随着CMOS技术进入到纳米电子领域,物理限制渐渐使得Si-CMOS技术的发展始趋向饱和,本讲座为技术人员寻求微型化的替代方法提供了理论基础和实践方案。
具体事宜通知如下:


一、 主办单位


工业和信息化部人才交流中心
比利时微电子研究中心(IMEC)


二、 组织安排


时 间:2016年10月24-26日(3天)
会议地点:北京北苑大酒店
会议地址:北京市朝阳区双营路甲6号院


日程安排:


为加强学员交流,促进合作,中心将统一为报名参加“芯”想法学员创造沟通交流机会,并探讨与本次讲座相关的主题。


为促进对现有教育资源的利用,提高解决实际应用问题的能力,中心特为两家报名单位提供定制化答疑。两家单位答疑时间各为15分钟,需提供与讲座相关的案例及问题,由授课专家予以专业解答,并由中心监督,且全程保密。


有意单位需在10月18日前,按照以下示例将案例及问题发至邮箱:wuyue@memsconsulting.com。发送邮件后,请致电中心。


邮件题目格式为:第30期+“芯”解惑。


邮件内容:单位名称+姓名+联系方式+案例及问题。


讲座结束后,将向学员颁发工业和信息化部人才交流中心和比利时微电子研究中心(IMEC)共同证书。


三、 费用


报名费4200元/人(含专家费、场地费、资料费、讲座期间午餐);参会者交通、食宿等费用自理。
请于2016年10月20日前将报名费汇至以下账户,并在汇款备注中注明款项信息(第30期+单位+参会人姓名)。
户 名:工业和信息化部人才交流中心
开户行:中国工商银行北京公主坟支行
帐 号:0200004609004626666


四、 报名方式


邮件报名:填写报名回执表并发送Word电子版至麦姆斯咨询邮箱,邮箱地址:wuyue@memsconsulting.com,回执表文件名和邮件题目格式为:报名+第30期+单位名称+人数。
注:提交报名表并缴纳报名费后方视为报名成功


五、 其他说明


10月13日前报名成功的学员,获赠中心“IC精英”精美水晶纪念品一份。中心将按照报名的先后顺序安排座位。


发送报名表后,若3个工作日内没有收到中心的邮件确认,请来电告知。中心将在讲座开始前的7个工作日内统一发送报到通知邮件,敬请留意。


六、 联系方式


麦姆斯咨询 吴越
电 话:15190305084
E-mail:wuyue@memsconsulting.com


讲座大纲


一、 摘要


随着CMOS技术进入到纳米电子领域,物理限制渐渐使得Si-CMOS技术的发展始趋向饱和,并促使技术人员寻求微型化的替代方法。第一部分概述了传统的CMOS技术在低于45纳米技术节点的缩放所面临的挑战,并重点介绍替代材料和架构。第二部分概述可靠性的基本理论及其在现代CMOS纳米器件中更为普遍的应用。我们将讨论可靠性测试过程的不同阶段:实验定义、测量以及分布拟合外推。我们将讨论如何将此方法应用到三类片上破坏机理:经时绝缘击穿、偏压温度不稳定性和沟道热载流子。我们将特别指出,当元件尺寸已达纳米范畴时,一些可靠性问题为何值得我们仔细思考。第三部分的目标有:学习噪声理论的基本概念;学习如何设计低噪声仪表;掌握如何把低频率噪音(LFN)的表征用作材料缺陷的强大的诊断工具和CMOS器件的电荷传输机制。第四节将介绍到用于缩小元件测试和电路级分析之间差距的方法。更具体地说,我们采用适当的品质因素来表达VLSI电路和系统级特性,并将其作为合适的参数,从而可从实验测量评估中获取。由此,在完成一个设计套件之前,便能获得可提供有用信息的早期评估。


二、 目录


1. Overview of CMOS nanodevices CMOS纳米器件概述
2. Reliability 可靠性
2.1. Reliability basic theory 可靠性基本理论
2.2. Time dependent dielectric breakdown 经时绝缘击穿
2.3. Bias temperature instability 偏压温度不稳定性
2.4. Channel hot carrier 沟道热载流子
3. Low-frequency noise 低频噪声
3.1. Statistical properties of noise 噪声统计特性
3.2. Types of noise 噪声类型
3.3. Noise analysis on circuits 电路噪声分析
3.4. Low noise instrumentation 低噪声仪表
3.5. Low frequency noise in CMOS devices CMOS器件低频噪声
4. Early assessment of CMOS technologies CMOS技术早期评估
4.1. Methodologies 方法学
4.2. Case studies on CMOS technologies CMOS技术案例研究

专家简介


Felice CRUPI 菲利斯·克鲁皮 卡拉布里亚大学 教授

自2012年12月起,Felice Crupi 担任意大利卡拉布里亚大学电子系的副教授。2008年他以访问科学家身份在Imec从事研究。此前,他还以访问科学家身份,前往巴塞罗那自治大学电子工程系,意大利墨西拿大学和IBM Thomas J. Watson研究中心进行研究。工作期间,他教过32门研究生课程以及4门本科课程。他是电子工程领域超过100名的研究生和100名博士生的指导老师。他还多次受邀在不同高校进行课程展示和主题演讲。
自2011年起,Crupi教授是IEEE 器件和材料可靠性会刊的副主编。2013年12月,他担任IEEE 器件和材料可靠性会刊“Reliability of High-Mobility Channel Materials”的客座主编。目前他是IEEE高级会员。

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