日期：2016年12月16日，周五

时间：13：30-16：00

地点：北方工业大学励学楼（二教）417房间

规模：100人

议程：

13:30 – 14:00

签到

14:00– 15:00

主持嘉宾

曹荣根 博士

15:00 – 16:00

现场提问交流

新兴电子器件设计平台产业化研讨会

主要摘要：

电子器件是当代信息技术的基础，随着技术的发展和需求的提升，集成电路发展呈现出两个显著的趋势：一方面，集成电路的尺寸越来越小，继在十年前进入纳米尺度后(<100纳米)，在今年已达到14纳米的技术水平；另一方面，是一些新材料，尤其是石墨烯、碳纳米管等被成功制备成集成电路。这些新兴的电子器件的发展显著改善了人们的生活，并展现出其重要的经济、社会和科技意义。

在电子器件的制造过程中，计算机辅助设计（TCAD）一直扮演者重要的角色。在整个半导体和集成电路产业中，TCAD相关的软件大约占15%左右。在过去的几十年中，诸多基于经验公式、经典和半经典理论的计算模型和方法被成功地应用在电子器件和电路的模拟和设计上，开发了多种TCAD软件，这些软件广泛地在英特尔（Intel）、台积电（TSMC）、格罗芳德（GF）等半导体制造公司应用，承担着过去几十年的计算机辅助设计的任务，为集成电路的产业发展起到了非常重要的作用。

然而，随着集成电路产业的迅猛发展，传统半导体器件的尺寸迅速减小，以及新兴集成电路和材料的出现，这些传统的TCAD方法和软件已经面临着巨大的挑战，相应的辅助计算模拟和工艺设计软件发展遇到瓶颈，将完全无法承担10 nm左右及以下的电子器件的设计问题。在传统TCAD模拟方法面临诸多困难的情况下，人们必须发展新的计算方法来满足新兴集成电路工艺/器件模拟及设计的需求。鸿之微拥有目前世界上最先进的研究纳米尺度器件电子输运性质的模拟计算方法（NEGF-DFT方法）和软件（nanodcal, nanoskif, nanoskim等）。目前，基于这种计算方法的软件在计算速度、尺度和可靠性上均取得了巨大的发展和突破，可以准确进行10nm以下尺寸的电子器件的性能模拟，解决了当前的电子器件的理论计算模拟的大量基本科学问题。

本期研讨会暨学术交流会将围绕新兴电子器件设计相关学术研究问题及产业发展前沿开展广泛和深入的讨论和交流，探讨输运类计算软件在集成电路设计业中的应用前景。

主讲嘉宾介绍：曹荣根

Ø 复旦大学材料科学系材料物理与化学专业，博士。

Ø 长期从事集成电路器件和工艺研究，发表 SCI 文章 15 篇，拥有专利5项。

Ø 2003年与日本滨松光子株式会社合作，共同组建当时国内最先进的集成电路失效定位分析实验室，该实验室先后为国内300家半导体企业开展过相关服务。

Ø 2014年发起成立鸿之微科技（上海）股份有限公司并出任董事长。