碳化硅半导体是新一代宽禁带半导体,它具有热导率高、GaN晶格失配小等优势,非常适合用作新一代发光二极管衬底材料、大功率电力电子材料。
采用碳化硅做衬底的LED器件亮度更高、能耗更低、寿命更长、单位芯片面积更小,且在大功率LED方面具有非常大的优势。
今天美国力特公司(Littelfuse)公司,将从功耗、效能等数据点出发,详细介绍美国力特公司小功率半导体碳化硅技术。
碳化硅半导体是新一代宽禁带半导体,它具有热导率高、GaN晶格失配小等优势,非常适合用作新一代发光二极管衬底材料、大功率电力电子材料。
采用碳化硅做衬底的LED器件亮度更高、能耗更低、寿命更长、单位芯片面积更小,且在大功率LED方面具有非常大的优势。
今天美国力特公司(Littelfuse)公司,将从功耗、效能等数据点出发,详细介绍美国力特公司小功率半导体碳化硅技术。
器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SM712-02HTG | 1 | Littelfuse Inc | Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 12V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, TO-236AB, TO-236, 3 PIN |
ECAD模型 下载ECAD模型 |
|
$0.82 | 查看 | |
DF11-2428SCFA | 1 | Hirose Electric Co Ltd | Wire Terminal |
|
|
$0.15 | 查看 | |
P409EL474M250AH101 | 1 | KEMET Corporation | RC Network, Isolated, 100ohm, 630V, 0.47uF, Through Hole Mount, 2 Pins, RADIAL LEADED, ROHS COMPLIANT |
|
|
$7 | 查看 |