►论坛信息：

3月16日 10:00

上海跨国采购会展中心3层305B

►论坛概要：

智能手机和平板面临的问题是如何继续实现硬件和软件差异化，以及如何成为IOT的入口设备。可穿戴设备目前则需要解决供应链以及实现更好的交互方式及功耗。

演讲摘要：

01/

从全局角度实现IC、封装和PCB的协同优化

时下前沿的IC封装技术需要一种全局性的协同设计方法，从而能够简化规划、装配以及芯片、封装和PCB的优化，同时同化每个设计领域之间的物理和逻辑交互。封装的引脚输出和其他封装的互连结构，例如桥接和插入，不仅要基于裸片级约束进行优化，也要基于PCB上的约束、出路布线、和关键接口的引脚输出。本次研讨会针对并行设计以及芯片、封装和PCB的优化提出了一种方法论，概述突破性的技术，这种技术能够支持跨领域、针对球映射规划和优化时下高引脚数BGA的基于规则的先进方法。

03/

依靠DFM的可制造性分析软件解决PCB生产制造上的隐患

PCB设计对生产的影响是非常大的，而提供公板设计的厂商他们对生产上可能产生的因素并不在意，如果手机厂商在研发设计过程中对DFM问题没有足够认识，导致隐患的积累越来越多。本次公开课将对几家著名芯片厂商的turnkey公板PCB使用ZUKENDFM Center进行全方位分析,我们看看芯片巨头对DFM的重视程度到底有多少。

05/

16Gbps高速串行接口技术（High-speedSerDes）及下一代连接解决方案

PCIe Gen4正在为服务器和虚拟化技术带来更多的可能性，新的连接技术增大了带宽，并大幅提高声乐服务器之间、转换交互间以及服务器到存储器之间的数据传输量，使更大的数据集分析和更为复杂的云服务得以实现。高速SerDes技术正在被用于这些高速连接中，如更高阶的制造工艺14/16纳米设计。可以确定的是，在面临严苛的项目时间考验时，设计的复杂度也在大幅增加。16Gbps则是在商业IP设计应用中是最尖端的技术。下一代高速SerDes技术该走向何方？本次演讲将介绍更多关于高速串行连接技术中的主要趋势，以及面临的挑战和解决方案。

06/

在16FF+和10FF工艺上开发高性能DDR子系统的复杂设计挑战

来自于下一代应用急迫的市场要求，一直在推动着更高性能产品的不断演进和开发。通常情况，提升处理器的性能可以为产品解决高性能和更多功能的挑战。但现在，这一情况已经逐渐转变为对更高性能内存子系统的严苛要求。为了达到更高的数据率，内存子系统正在显著的增大系统级设计的挑战。这样的设计要求DDR接口IP需要提高更高的吞吐率，例如现在业内要求的最好吞吐量3200Mbps。使用更高阶的制造工艺如TSMC16FF+和10FF可以提供必需的性能和低功耗优势，以达成内存接口IP的高速吞吐量。并且，设计一个能够达到高性能要求的内存子系统，不仅需要考虑如何将IP设计运行于3200Mb/s。更多需要重点考虑的是接口设计的架构，是否可以通过SOC、封装级甚至板级，非常可靠的以高数据率传输信息。本次演讲内容将着重讲述，内存子系统设计者所面临的挑战，以及在您开发高速内存接口时，如何解决复杂系统级挑战和困难。

07/

在16FF+和10FF工艺上开发高性能DDR子系统的复杂设计挑战

三维电磁仿真技术（3DEM）一直被电磁场分析专家所使用，现在，PCB（以及IC封装）设计工程师和SI/PI工程师也在要求扩展和使用三维电磁场技术。从最开始的文本文件接口，到现代的实体建模图形界面GUI，易用性问题已经转变为对学习能力的挑战。这需要工具环境有更简洁的界面和参数，使新的用户从版图布局和电路设计阶段可以更广泛的介入使用。三维电磁场仿真在业界的广泛发展和应用的在这方面的努力方向所希望的是不论用户是电磁场专家还是纯粹的PCB物理设计工程师，不论是否关心设计细节，都可以广泛应用这个技术或工具。虽然用户及需求变化很大，但是可以看到在应用三维电磁场仿真技术方面共同点更多于差异性。本次演讲将关注于传输线从布线导入到三维电磁场工具，执行三维电磁场仿真和其他2D/3D仿真，提取的模型连接到电路里进行分析，以及涉及到更专业的三维电磁仿真和各种类型的三维电磁仿真分析（如静态与全波分析）时的权衡点。