微纳电子器件-前端可靠性主讲专家:Guido Groeseneken比利时鲁汶大学 教授一、专家介绍 ●鲁汶大学应用科学博士学位(1986 年)●研究领域: 非易失性半导体存储器件与技术、超大规模集成电路技术的可靠性物理研究、MOSFET 热载流子效应、氧化物的经时绝缘击穿、NBTI 效应、ESD 防护和测试、等离子体处理诱导损伤、半导体电学表征和高 k 介质表征与可靠性。同时,他还致力于研究后 CMOS 应用中的纳米技术,例如互联和传感器应用中的碳纳米管、可替代超低功率器件的隧道 FET 等等●鲁汶大学教授,并任欧洲 Erasmus Mundus 奖学金研究生项目主任●所获荣誉:IEDM 欧